Тънкослойните кондензатори YMIN перфектно допълват CoolSiC™ MOSFET G2 на Infineon
Новото поколение силициев карбид CoolSiC™ MOSFET G2 на Infineon е водеща иновация в управлението на захранването.Тънкослойните кондензатори YMIN с дизайн с ниско ESR, високо номинално напрежение, нисък ток на утечка, висока температурна стабилност и висока плътност на капацитета осигуряват силна подкрепа за този продукт, като помагат за постигане на висока ефективност, висока производителност и висока надеждност, което го прави ново решение за преобразуване на енергия в електронни устройства.
Характеристики и предимства на YMINТънкослойни кондензатори
Ниска ESR:
Дизайнът на тънкослойните кондензатори YMIN с нисък ESR ефективно се справя с високочестотния шум в захранващите устройства, допълвайки ниските загуби при превключване на CoolSiC™ MOSFET G2.
Високо номинално напрежение и ниско утечка:
Характеристиките на високото номинално напрежение и ниския ток на утечка на тънкослойните кондензатори YMIN подобряват високата температурна стабилност на CoolSiC™ MOSFET G2, осигурявайки стабилна поддръжка за стабилност на системата в тежки среди.
Стабилност при висока температура:
Високотемпературната стабилност на тънкослойните кондензатори YMIN, комбинирана с превъзходното термично управление на CoolSiC™ MOSFET G2, допълнително подобрява надеждността и стабилността на системата.
Висока плътност на капацитета:
Високата плътност на капацитета на тънкослойните кондензатори предлага по-голяма гъвкавост и използване на пространството при проектирането на системата.
Заключение
Тънкослойните кондензатори YMIN, като идеален партньор за CoolSiC™ MOSFET G2 на Infineon, показват голям потенциал.Комбинацията от двете подобрява надеждността и производителността на системата, осигурявайки по-добра поддръжка за електронни устройства.
Време на публикуване: 27 май-2024 г